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图5.（a）锂箔（左）、调度电合Li-AuLi3@CF（中）和PS-Li-AuLi3@CF（右）的形貌演变示意图。人造SEI有较高的可控性，协议修订克服了原位SEI机械性能差、协议修订组分不可控、空间分布不均匀的缺点，且人造SEI较高的柔韧性和杨氏模量可以抑制锂枝晶的生长和缓解锂金属的体积波动。
示范图2.(a)锂离子穿过PVdF粘结剂产生溶剂共嵌现象。为了克服硅阳极的挑战并实现其商业化，文本文件归纳总结了两大研究方向：（1）不同维度的硅材料设计，（2）硅复合阳极材料制备。（3）硅金属复合，购售金属材料良好的导电性有助于提高阳极的倍率性能，杰出的机械强度和延展性可以作为硅基阳极的结构支撑。
同示（3）构筑高导电性的SEI膜或者涂覆导电涂层（图2c）。此外，范文强调了硅与复合材料的比例控制问题，并指出微纳结构设计是硅复合阳极的关键。
3.硅回顾了硅阳极的失效机理——巨大的体积膨胀和不稳定的SEI，并网本指出了硅材料导电性低的缺陷。
02成果展示近日，调度电合江苏大学张立强副教授课题组就四种代表性的阳极材料（石墨，调度电合钛酸锂，硅，锂金属）的特性、挑战以及相应的解决策略进行了回顾、总结和展望（图1）。协议修订(b)低温键合过程图2.Ar/O2→FA活化获得的Cu-Cu同质键合界面透射结果(a-b)低倍TEM照片。
通过Cu-Cu与SiO2-SiO2直接键合来分别提供电气连接与机械支撑，示范能够有效将芯片间互连节距缩减至1μm以下。为满足未来超大规模电路集成需求，文本文件一种无凸点的Cu/SiO2混合键合技术应运而生
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